其他產(chǎn)品及廠家
德國pva tepla 超聲波掃描顯微鏡 sam 301, 利用材料內(nèi)部組織因密度不同而對超聲波聲阻抗、超聲波吸收與反射程度產(chǎn)生差異的特點，從而實現(xiàn)對材料內(nèi)部缺陷的定性分析，在半導體封裝及材料等行業(yè)中得到廣泛應用?？煞直娉霾牧?、元器件內(nèi)部的裂紋、空洞、氣泡、分層缺陷、雜質(zhì)等；廣泛用于測試各種元器件、smt焊接器件、igbt器件、mems器件、晶圓鍵合等內(nèi)部缺陷的無損檢測
更新時間:2025-12-27
fr-es 是一款輕巧便捷的膜厚測量分析系統(tǒng), 能測量各種厚度范圍的透明和半透明涂層以及薄金屬層.fr-es 是 實驗室里 的 理想 配置。fr-es 可以在各種光譜范圍內(nèi)執(zhí)行反射率和透射率測量。
更新時間:2025-12-27
超高純氫氣發(fā)生器 （免維護版柜式機）hxcn-h-m0.6,hxcn-h-m1.2,hxcn-h-m5,hxcn-h-m10，采用pem技術電解純水制氫，無需用堿直接電解純水，無腐蝕無污染。 國外高 端制氫機優(yōu)先替代者 氫氣純度高(99.9999％)5個9到7個9可選，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制。
更新時間:2025-12-27
實驗室氫氣發(fā)生器 （非免維護臺式機）,采用領先業(yè)內(nèi)pem技術電解純水制氫，無需用堿，無腐蝕無污染。 氫氣純度高99.999％，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制.
更新時間:2025-12-27
華欣創(chuàng)能實驗室氫氣發(fā)生器 是一款 專為gc、總烴分析儀等小流量需求場景 設計的高效、安全制氫設備。用于gc載 氣，也可用做fid和fpd等檢測器的燃燒 氣。
更新時間:2025-12-27
桌上型hmds烘箱，小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性，從而增大晶圓表面的接觸角），增強光刻膠和晶圓的粘附力。
更新時間:2025-12-27
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設備 真空硅烷涂膠機是一種用于硅烷（siih?）作為前驅(qū)體的薄膜沉積設備，主要用于半導體、納米壓印脫模工藝、光伏（太陽能電池）、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領域的材料制備。硅烷（sih?）因其高反應性和低溫沉積特性，成為沉積非晶硅（a-si）、微晶硅（μc-si）、氮化硅（sin?）和氧化硅（sio?）等薄膜的關鍵化學品。
更新時間:2025-12-27
多電磁鐵實驗室矢量電磁場水冷式或風冷磁場設備電磁鐵為四結構的，軛鐵八邊形，氣隙可調(diào)，柱直徑50mm，磁直徑25mm，四在同一平面；可水平或45度角放置。
更新時間:2025-12-27
變溫教學霍爾測試系統(tǒng)霍爾效應教學實驗儀器 本系統(tǒng)由jh50變溫教學霍爾測試系統(tǒng)、tesk301控溫儀、液氮恒溫器和轉(zhuǎn)向磁體四個部分組成，可完成在不同溫度條件下測量霍爾片樣品霍爾效應的教學實驗。該系統(tǒng)可與計算機連接，配合相應的軟件實現(xiàn)計算機實時數(shù)據(jù)采集，也可配合我公司其他設備使用。
更新時間:2025-12-27
偶聯(lián)劑涂布機 硅烷偶聯(lián)劑氣相沉積系統(tǒng)硅烷偶聯(lián)劑應用方法指通過表面預處理方式,改善材料界面性能的技術，其核心機制依賴于硅烷分子的水解縮合及與基材的化學鍵合作用.氣相沉積法是一種在干燥非質(zhì)子環(huán)境下實現(xiàn)硅烷單分子層沉積的關鍵技術，廣泛應用于材料表面改性、電子封裝和能源材料等領域.
更新時間:2025-12-27
智能型無塵無氧烘箱 高溫氮氣無氧pi烤箱 pi固化爐電子膠體固化：銀膠/bcb膠/光刻膠高溫固化（300-450℃）晶圓加工：退火處理、pi膜烘烤（±1℃波動精度）陶瓷燒結：電子陶瓷材料無塵烘干（class100潔凈環(huán)境
更新時間:2025-12-27
真空存儲柜 真空干燥柜 真空氮氣柜適用于各類化工原料、貴重金屬、金屬粉末等各種固體、粉狀、糊狀、液體，電子產(chǎn)品（半導體、電路板、電子成品、芯片、電池板、電池片、電子元器件、金屬制品、厭氧產(chǎn)品、易氧化產(chǎn)品等
更新時間:2025-12-27
硅烷沉積設備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設備通過表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過程中實現(xiàn)結構較好的轉(zhuǎn)移,復制.
更新時間:2025-12-27
大學實驗室磁場發(fā)生裝置矢量多電磁鐵 主要應用于多磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場、旋轉(zhuǎn)磁場磁導向等多種應用，按用戶的使用要求設計制作，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設計的磁場平臺兼容。
更新時間:2025-12-27
多電磁鐵矢量磁源發(fā)生器物理電磁學實驗在小氣隙時用于鐵氧體產(chǎn)品的充磁，與磁性樣品產(chǎn)品的磁化處理。
更新時間:2025-12-27
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導體材料等。
更新時間:2025-12-27
本系統(tǒng)通過193的脈沖激光器或者等離子體光源+單色儀的連續(xù)193光源，對器件的光電流響應進行測量，測量速度約4khz，同時通過標準探測器對激光強度波動進行測量，對結果進行校正。
更新時間:2025-12-27
深紫外超寬禁帶半導體熒光測試系統(tǒng)，基于我司20年左右的第三代半導體表征測試經(jīng)驗，可以有效地對寬禁帶與超寬禁帶半導體材料例如aln和algan等進行熒光激發(fā)
更新時間:2025-12-27
?產(chǎn)品名稱?pmma 950k（，分子量950,000）?類型?正性電子束光刻膠?典型膜厚?100–500 nm（依旋涂轉(zhuǎn)速與濃度調(diào)節(jié)）?曝光機制?電子束誘導主鏈斷裂，形成可溶性低聚物?顯影液?mibk:ipa（1:3）或純mibk?分辨率??≤10 nm?（理論極限），實測可達?20–50 nm?線寬?
更新時間:2025-12-27
?典型膜厚?0.4–2.7 μm?曝光波長?i-line（365 nm）?極限分辨率??≤0.5 μm?（500 nm）線寬，適用于高精度圖形轉(zhuǎn)移?顯影液?2.38％ tmah水溶液，非有機溶劑體系?粘附性?，可直接涂布于sio?、si、金屬表面，無需額外底膠?抗蝕刻性?中等，適用于金屬剝離（lift-off）工藝，不適用于高選擇比干法蝕刻
更新時間:2025-12-27
該材料在?標準半導體濕法工藝流程?中，經(jīng)受?多次循環(huán)化學處理?后仍保持?結構完整性與電絕緣性?，其化學穩(wěn)定性源于?高度交聯(lián)的芳香環(huán)聚合物網(wǎng)絡?，該結構在高溫與強極性溶劑中均不發(fā)生解聚。
更新時間:2025-12-27
需求激增?：5g/6g、sic/gan功率器件、chiplet封裝推動bcb年需求增速超25％；?環(huán)保壓力?：nmp去膠溶劑受限，推動?水基bcb去除劑?研發(fā)，但尚處實驗室階段；?技術演進?：bcb正逐步替代pspi與pi，成為封裝介電層的?黃準?。
更新時間:2025-12-27
?bcb3022-35 屬于?熱固化型負性光刻膠?，其核心優(yōu)勢在于固化后形成?高度交聯(lián)的芳香族聚合物結構?，賦予其的?電絕緣性、化學惰性與光學透明性?，是傳統(tǒng)聚酰亞胺（pi）和pspi的高性能替代方案。
更新時間:2025-12-27
e-beam 電子束光刻膠光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應用
更新時間:2025-12-26
抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時，nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。
更新時間:2025-12-26
r7-250pnr7-1000pnr7-1500pnr7-3000pnr7-6000pnr5-8000厚度0.2μm - 0.6μm0.7μm - 2.1μm1.1μm - 3.1μm2.1μm - 6.3μm5.0μm - 12.2μm5.8μm - 100μm耐溫性 = 150°c。在某些條件下，futurrex
更新時間:2025-12-26
r77-1500pynr77-3000pynr77-6000py厚度0.7μm - 2.1μm1.1μm - 3.1μm2.1μm - 6.3μm5.0μm - 12.2μm耐溫性 = 180°c。對于 nr-py 型負性光刻膠，底
更新時間:2025-12-26
pr1-1000a1pr1-2000a1pr1-4000a1pr1-12000a1厚度0.7μm - 2.1μm1.4μm - 4.2μm2.8μm - 15
更新時間:2025-12-26
負性厚光刻膠/ 歡迎來到 futurrex - 生產(chǎn)力工具 / 產(chǎn)品 / 負性光刻膠 / 負性厚刻膠厚負性光刻膠 – 減法或加法處理減材加工和模具抵抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時，nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。增材加工抵抗nr26-12000pnr26-25000p
更新時間:2025-12-26
負性厚光刻膠/ 歡迎來到 futurrex - 生產(chǎn)力工具 / 產(chǎn)品 / 負性光刻膠 / 負性厚刻膠厚負性光刻膠 – 減法或加法處理減材加工和模具抵抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時，nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。增材加工抵抗nr26-12000pnr26-25000
更新時間:2025-12-26
最新產(chǎn)品
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