其他產(chǎn)品及廠家

UV-1 紫外線臭氧清洗機
日本samco紫外臭氧清洗機 uv-1, 是一款緊湊型臺式紫外線臭氧清洗機。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺加熱獨特地結合在一起,溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導體(gan、gaas、inp、sic)、藍寶石、陶瓷等各種基材上的有機物。
更新時間:2025-12-27
GIA 522氣泡分析系統(tǒng)
gia 522氣泡分析系統(tǒng),用于分析玻璃、陶瓷、礦物或小型密封電子元件中的小到極小氣泡夾雜物。
更新時間:2025-12-27
EDA 407 水汽分析儀
eda 407專為光電子器件的質量控制而設計■ 從密封封裝中進行精確氣體分析■ 氣體成分的直觀分析■ 簡明易用的軟件套件■ 全自動化的氣體進樣系統(tǒng)
更新時間:2025-12-27
XP-65 高粘度液體光學顆粒度儀
高粘度樣品用液中粒子傳感器xp-65/ks-42c(改)無需稀釋即可測量原液(可達6000 cp)。支持在線和離線測量。廣泛的可測粒徑范圍xp-65:0.2μm~1.0μm,ks-42c(改):0.5μm~20μm
更新時間:2025-12-27
TL-2000激光開封機
tl系列激光開封機通過激光能量的調節(jié)控制,去除封裝電子器件的塑膠層。用于觀察電子器件內部焊線偏移,焊線交叉短路,倒裝焊焊球虛焊,倒裝焊焊球短路,焊線斷裂,焊線脫離等封裝缺陷。
更新時間:2025-12-27
RA-9000美RKD激光開封機
美rkd激光開封機ra-9000簡單方便進行半導體塑料封裝去屑,露出基板上的引線框架。完全圖形化的使用者操作介面,簡易的進行控制操作。輕易達成整面或定點,平整的塑料開封作業(yè)。大量減低化學開封的用酸量及時間,並將開封成功率地大比率提升。
更新時間:2025-12-27
德國PVA TePla 超聲波掃描顯微鏡 SAM 301
德國pva tepla 超聲波掃描顯微鏡 sam 301, 利用材料內部組織因密度不同而對超聲波聲阻抗、超聲波吸收與反射程度產(chǎn)生差異的特點,從而實現(xiàn)對材料內部缺陷的定性分析,在半導體封裝及材料等行業(yè)中得到廣泛應用。可分辨出材料、元器件內部的裂紋、空洞、氣泡、分層缺陷、雜質等;廣泛用于測試各種元器件、smt焊接器件、igbt器件、mems器件、晶圓鍵合等內部缺陷的無損檢測
更新時間:2025-12-27
德國ThetaMetrisis膜厚測量儀  FR-ES
fr-es 是一款輕巧便捷的膜厚測量分析系統(tǒng), 能測量各種厚度范圍的透明和半透明涂層以及薄金屬層.fr-es 是 實驗室里 的 理想 配置。fr-es 可以在各種光譜范圍內執(zhí)行反射率和透射率測量。
更新時間:2025-12-27
超高純氫氣發(fā)生器 (免維護版柜式機)HXCN-H-M0.6,HXCN-H-M1.2,HXCN-H-M5,HXCN-H-M10
超高純氫氣發(fā)生器 (免維護版柜式機)hxcn-h-m0.6,hxcn-h-m1.2,hxcn-h-m5,hxcn-h-m10,采用pem技術電解純水制氫,無需用堿直接電解純水,無腐蝕無污染。 國外高 端制氫機優(yōu)先替代者 氫氣純度高(99.9999%)5個9到7個9可選,流量穩(wěn)定,壓力采用一體化的控制。
更新時間:2025-12-27
華欣創(chuàng)能實驗室氫氣發(fā)生器 HXCN-H-S600,HXCN-H-S1200
實驗室氫氣發(fā)生器 (非免維護臺式機),采用領先業(yè)內pem技術電解純水制氫,無需用堿,無腐蝕無污染。 氫氣純度高99.999%,流量穩(wěn)定,壓力采用一體化的控制.
更新時間:2025-12-27
華欣創(chuàng)能實驗室氫氣發(fā)生器 HXCN-H-MF-S600,HXCN-H-MF-S1200
華欣創(chuàng)能實驗室氫氣發(fā)生器 是一款 專為gc、總烴分析儀等小流量需求場景 設計的高效、安全制氫設備。用于gc載 氣,也可用做fid和fpd等檢測器的燃燒 氣。
更新時間:2025-12-27
桌上型HMDS烘箱,小型HMDS真空烤箱
桌上型hmds烘箱,小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性,從而增大晶圓表面的接觸角),增強光刻膠和晶圓的粘附力。
更新時間:2025-12-27
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設備  真空硅烷涂膠機
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設備 真空硅烷涂膠機是一種用于硅烷(siih?)作為前驅體的薄膜沉積設備,主要用于半導體、納米壓印脫模工藝、光伏(太陽能電池)、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領域的材料制備。硅烷(sih?)因其高反應性和低溫沉積特性,成為沉積非晶硅(a-si)、微晶硅(μc-si)、氮化硅(sin?)和氧化硅(sio?)等薄膜的關鍵化學品。
更新時間:2025-12-27
烘氮氣烘箱,硬烘潔凈烘箱
烘氮氣烘箱,硬烘潔凈烘箱優(yōu)化光刻膠的光學吸收特性,提高光刻膠對襯底的黏附性
更新時間:2025-12-27
多電磁鐵實驗室矢量電磁場水冷式或風冷磁場設備
多電磁鐵實驗室矢量電磁場水冷式或風冷磁場設備電磁鐵為四結構的,軛鐵八邊形,氣隙可調,柱直徑50mm,磁直徑25mm,四在同一平面;可水平或45度角放置。
更新時間:2025-12-27
變溫教學霍爾測試系統(tǒng)霍爾效應教學實驗儀器
變溫教學霍爾測試系統(tǒng)霍爾效應教學實驗儀器 本系統(tǒng)由jh50變溫教學霍爾測試系統(tǒng)、tesk301控溫儀、液氮恒溫器和轉向磁體四個部分組成,可完成在不同溫度條件下測量霍爾片樣品霍爾效應的教學實驗。該系統(tǒng)可與計算機連接,配合相應的軟件實現(xiàn)計算機實時數(shù)據(jù)采集,也可配合我公司其他設備使用。
更新時間:2025-12-27
偶聯(lián)劑涂布機  硅烷偶聯(lián)劑氣相沉積系統(tǒng)
偶聯(lián)劑涂布機 硅烷偶聯(lián)劑氣相沉積系統(tǒng)硅烷偶聯(lián)劑應用方法指通過表面預處理方式,改善材料界面性能的技術,其核心機制依賴于硅烷分子的水解縮合及與基材的化學鍵合作用.氣相沉積法是一種在干燥非質子環(huán)境下實現(xiàn)硅烷單分子層沉積的關鍵技術,廣泛應用于材料表面改性、電子封裝和能源材料等領域.
更新時間:2025-12-27
智能型無塵無氧烘箱  高溫氮氣無氧PI烤箱  PI固化爐
智能型無塵無氧烘箱 高溫氮氣無氧pi烤箱 pi固化爐電子膠體固化:銀膠/bcb膠/光刻膠高溫固化(300-450℃)晶圓加工:退火處理、pi膜烘烤(±1℃波動精度)陶瓷燒結:電子陶瓷材料無塵烘干(class100潔凈環(huán)境
更新時間:2025-12-27
真空存儲柜   真空干燥柜 真空氮氣柜
真空存儲柜 真空干燥柜 真空氮氣柜適用于各類化工原料、貴重金屬、金屬粉末等各種固體、粉狀、糊狀、液體,電子產(chǎn)品(半導體、電路板、電子成品、芯片、電池板、電池片、電子元器件、金屬制品、厭氧產(chǎn)品、易氧化產(chǎn)品等
更新時間:2025-12-27
硅烷沉積設備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設備
硅烷沉積設備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設備通過表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過程中實現(xiàn)結構較好的轉移,復制.
更新時間:2025-12-27
大學實驗室磁場發(fā)生裝置矢量多電磁鐵
大學實驗室磁場發(fā)生裝置矢量多電磁鐵 主要應用于多磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場、旋轉磁場磁導向等多種應用,按用戶的使用要求設計制作,該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設計的磁場平臺兼容。
更新時間:2025-12-27
實驗室矢量電磁鐵多磁場發(fā)生器
實驗室矢量電磁鐵多磁場發(fā)生器多水冷式或風冷、具有視野開闊、磁場強度高、磁場強度大小調節(jié)方便的特點
更新時間:2025-12-27
錦正茂 多電磁鐵矢量磁源發(fā)生器物理電磁學實驗
多電磁鐵矢量磁源發(fā)生器物理電磁學實驗在小氣隙時用于鐵氧體產(chǎn)品的充磁,與磁性樣品產(chǎn)品的磁化處理。
更新時間:2025-12-27
HMDS氣相成底膜烘箱  真空HMDS氣相烘箱
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導體材料等。
更新時間:2025-12-27
紫外光電探測器DSR300-DUV
本系統(tǒng)通過193的脈沖激光器或者等離子體光源+單色儀的連續(xù)193光源,對器件的光電流響應進行測量,測量速度約4khz,同時通過標準探測器對激光強度波動進行測量,對結果進行校正。
更新時間:2025-12-27
卓立高性能OminFluo990-DUV深紫外寬禁帶半導體熒光測試系統(tǒng)
深紫外超寬禁帶半導體熒光測試系統(tǒng),基于我司20年左右的第三代半導體表征測試經(jīng)驗,可以有效地對寬禁帶與超寬禁帶半導體材料例如aln和algan等進行熒光激發(fā)
更新時間:2025-12-27
光刻膠電子束膠 PMMA 950 分辨率高 現(xiàn)貨
?產(chǎn)品名稱?pmma 950k(,分子量950,000)?類型?正性電子束光刻膠?典型膜厚?100–500 nm(依旋涂轉速與濃度調節(jié))?曝光機制?電子束誘導主鏈斷裂,形成可溶性低聚物?顯影液?mibk:ipa(1:3)或純mibk?分辨率??≤10 nm?(理論極限),實測可達?20–50 nm?線寬?
更新時間:2025-12-27
S1800系列有機顯影液光刻膠高精密清晰度
?典型膜厚?0.4–2.7 μm?曝光波長?i-line(365 nm)?極限分辨率??≤0.5 μm?(500 nm)線寬,適用于高精度圖形轉移?顯影液?2.38% tmah水溶液,非有機溶劑體系?粘附性?,可直接涂布于sio?、si、金屬表面,無需額外底膠?抗蝕刻性?中等,適用于金屬剝離(lift-off)工藝,不適用于高選擇比干法蝕刻
更新時間:2025-12-27
 BCB3022-46 光刻膠 光致抗蝕劑 耐化學性能穩(wěn)定
該材料在?標準半導體濕法工藝流程?中,經(jīng)受?多次循環(huán)化學處理?后仍保持?結構完整性與電絕緣性?,其化學穩(wěn)定性源于?高度交聯(lián)的芳香環(huán)聚合物網(wǎng)絡?,該結構在高溫與強極性溶劑中均不發(fā)生解聚。
更新時間:2025-12-27
BCB4022-35 光刻膠 半導體表面活性劑 貨源充足
需求激增?:5g/6g、sic/gan功率器件、chiplet封裝推動bcb年需求增速超25%;?環(huán)保壓力?:nmp去膠溶劑受限,推動?水基bcb去除劑?研發(fā),但尚處實驗室階段;?技術演進?:bcb正逐步替代pspi與pi,成為封裝介電層的?黃準?。
更新時間:2025-12-27
BCB3022-35 負性光刻膠 介電材料 透明度高
?bcb3022-35 屬于?熱固化型負性光刻膠?,其核心優(yōu)勢在于固化后形成?高度交聯(lián)的芳香族聚合物結構?,賦予其的?電絕緣性、化學惰性與光學透明性?,是傳統(tǒng)聚酰亞胺(pi)和pspi的高性能替代方案。
更新時間:2025-12-27
E-Beam 電子束光刻膠
e-beam 電子束光刻膠光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist,又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應用
更新時間:2025-12-26
紫外正、負性光刻膠配套試劑RZN-6200
rzn-6200
更新時間:2025-12-26
負性厚光刻膠NR5-8000
抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時,nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。
更新時間:2025-12-26
負性厚光刻膠
5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時,nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。
更新時間:2025-12-26
負性蝕刻抗蝕劑
r7-250pnr7-1000pnr7-1500pnr7-3000pnr7-6000pnr5-8000厚度0.2μm - 0.6μm0.7μm - 2.1μm1.1μm - 3.1μm2.1μm - 6.3μm5.0μm - 12.2μm5.8μm - 100μm耐溫性 = 150°c。在某些條件下,futurrex
更新時間:2025-12-26
負剝離抗蝕劑
r77-1500pynr77-3000pynr77-6000py厚度0.7μm - 2.1μm1.1μm - 3.1μm2.1μm - 6.3μm5.0μm - 12.2μm耐溫性 = 180°c。對于 nr-py 型負性光刻膠,底
更新時間:2025-12-26
正性光刻膠
pr1-1000a1pr1-2000a1pr1-4000a1pr1-12000a1厚度0.7μm - 2.1μm1.4μm - 4.2μm2.8μm - 15
更新時間:2025-12-26
邊珠去除器
對于正性光刻膠ebr1對于負性光刻膠ebr2
更新時間:2025-12-26
抵制開發(fā)商
含堿金屬rd3含rd6的 tmah
更新時間:2025-12-26
抗蝕劑清除劑
性堿性溶液rr3酯基溶液rr5dmso 基溶液rr4rr41
更新時間:2025-12-26
平坦化涂層
pc43-700pc43-1500pc43-6000厚度0.6μm - 1.6μm1.1μm - 3.2μm5.0μm - 12.2μm
更新時間:2025-12-26
旋涂玻璃涂層
ic1-200dc4-500厚度0.17μm - 0.50μm0.45μm - 1.0μm
更新時間:2025-12-26
旋涂摻雜劑
c1-2000zdpc2-2000類型硼摻雜涂層磷摻雜
更新時間:2025-12-26
光刻膠 NR9-8000-光刻膠
負性厚光刻膠/ 歡迎來到 futurrex - 生產(chǎn)力工具 / 產(chǎn)品 / 負性光刻膠 / 負性厚刻膠厚負性光刻膠 – 減法或加法處理減材加工和模具抵抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時,nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。增材加工抵抗nr26-12000pnr26-25000p
更新時間:2025-12-26
負性厚光刻膠
負性厚光刻膠/ 歡迎來到 futurrex - 生產(chǎn)力工具 / 產(chǎn)品 / 負性光刻膠 / 負性厚刻膠厚負性光刻膠 – 減法或加法處理減材加工和模具抵抗nr5-8000厚度5.8μm - 100.0μm當加工溫度 < 120°c 時,nr5 系列光刻膠可在 25°c 下剝離。增材加工抵抗nr26-12000pnr26-25000
更新時間:2025-12-26
美國原裝MICROCHEM SU-8 3010 負性光刻膠
是否進口否品牌microchem貨號su-8
更新時間:2025-12-26
美國原裝MICRO-CHEM SU-8 3050 負性光刻膠
產(chǎn)地美國型號3000是否進口否
更新時間:2025-12-26
離子型PSPI可溶性負性光敏聚酰亞胺光刻膠
產(chǎn)品名稱離子型pspi液體含量≥99.9(%)純度99.99(%)
更新時間:2025-12-26
美國Microchem SU-8光刻膠2000 3000系列科研耗材 去膠液 顯影液
進口否品牌microchem型號su-8
更新時間:2025-12-26

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計(PH計) 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質 生物試劑