化學氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

德國iplas微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)
德國iplas微波等離子化學氣相沉積 iplas mpcvd 915mhz系統(tǒng),德國 iplas公司的獨家利多天線耦合微波等離子技術(shù)（cyrannus®），可在反應(yīng)腔中實現(xiàn)高的 sp3 鍵轉(zhuǎn)化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質(zhì)量得到改善，這正是獲取優(yōu)質(zhì)金剛石的技術(shù)基礎(chǔ)。
更新時間:2025-12-27
微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術(shù)微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-12-27
Appsilon MPCVD
appsilon mpcvd
更新時間:2025-12-27
Syskey CVD Cluster 化學氣相沉積
syskey cvd cluster 化學氣相沉積，pecvd和peald系統(tǒng)可以組合在一起，實現(xiàn)薄膜的多層沉積封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品在兩者之間轉(zhuǎn)移自動處理腔室。
更新時間:2025-12-27
Syskey 離子束刻蝕機 IBE
syskey 離子束刻蝕機 ibe, 離子束蝕刻（ibe）是一種先 進的蝕刻技術(shù)，利用離子源去除來自基材表面的材料具有卓 越的均勻性和精度。國際教育局可以適用于金屬、氧化物、半導體、有機物等多種材料化合物。這種蝕刻方法涉及使用帶電粒子的高能束，通常是氬離子，用于物理去除樣品表面的材料。
更新時間:2025-12-27
Syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機 ICP-RIE
syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機 icp-rie,用于氧化物和氮化物蝕刻的 icp-rie 系統(tǒng)。氣體管線可實現(xiàn)金屬蝕刻。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-12-27
Syskey RIE 反應(yīng)離子刻蝕機
syskey rie 反應(yīng)離子刻蝕機，我們生產(chǎn)用于氧化物和氮化物蝕刻的 rie 系統(tǒng)。氣體管線可實現(xiàn)硅基材料刻蝕。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-12-27
Syskey 等離子增強化學氣相沉積 PECVD
syskey 等離子增強化學氣相沉積 pecvd? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱至 400 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性，低于 ±5％? 6 條反應(yīng)性氣體管路，適用于 sio2、si3n4 沉積? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 負載鎖定是可選的? 等離子自清潔是可選的? teos 工藝是可選的
更新時間:2025-12-27
Syskey 等離子增強原子沉積 PEALD
syskey 等離子增強原子沉積 peald,我們生產(chǎn)用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ald 和 peald 系統(tǒng)。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應(yīng)窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實驗室空間。
更新時間:2025-12-27
Syskey 小型多腔體鍍膜機 Mini Cluster
syskey 小型多腔體鍍膜機 mini cluster, 靈活的基板尺寸可達 2 英寸。? 基板支架加熱或冷卻。? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％。? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的靶材沉積多層薄膜。? torr 可針對不同設(shè)備進行選擇。- 可與手套箱集成。
更新時間:2025-12-27
Syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) PVD Cluster
syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) pvd cluster,靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱或冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? torr 可選擇用于不同的設(shè)備- 可與手套箱集成
更新時間:2025-12-27
Syskey 超高真空電子束鍍膜 UHV E-beam
syskey 超高真空電子束鍍膜 uhv e-beam, ? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻和傾斜? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束光源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 2.pngtorr 是可選的鋁基約瑟夫森結(jié)? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-12-27
Syskey Lift-off E-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
syskey lift-off e-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 負載鎖定是可選的，效率高? 可與其他沉積系統(tǒng)集成? 樣品傾斜是可選的
更新時間:2025-12-27
Syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) HV E-beam
syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) hv e-beam,靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱至 800 °c 或水/油/ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積技術(shù)或沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-12-27
Syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機UHV Thermal
syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機uhv thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 6 個）? 可以共蒸發(fā)和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-12-27
Syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機HV Thermal
syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機hv thermal，全自動系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求，包括oled、opv、opd等。? 基板支架水冷或油冷? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 12 個）? 可以共蒸發(fā)和摻雜? 用選定的目標材料沉積多層薄膜- 可與手套箱集成
更新時間:2025-12-27
Syskey 超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter
超高真空磁控濺射鍍膜機 uhv sputter,? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 磁控濺射源（數(shù)量最多 8 個），可選強磁版本? 用于非導電或?qū)щ娔繕说纳漕l、直流或脈沖直流? 使用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他特高壓沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-12-27
Syskey高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter
高真空濺射系統(tǒng) hv sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米- 基板架加熱溫度最高可達800℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流，適用于非導電或?qū)щ姲胁? 可選配射頻清洗和刻蝕功能- 可沉積多層薄膜，選用特定目標材料- 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-12-27
Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal
syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) compact thermal 靈活的基板尺寸，最大可達6英寸- 基板架加熱溫度最高可達500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個）- 速率控制沉積- 可沉積多層薄膜，選用特定目標材料- 可選配負載鎖定腔室
更新時間:2025-12-27
Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter
syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) compact sputter，- 靈活的基板尺寸，最大可達6英寸- 基板架加熱溫度最高可達500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流電源- 最 多可支持3條氣體管路- 支持順序沉積和共沉積- 可選配負載鎖定腔室
更新時間:2025-12-27
等離子真空蒸鍍系統(tǒng) 真空等 離子鍍膜機
等離子真空蒸鍍系統(tǒng) 真空等 離子鍍膜機利用高頻高壓電源在一定的真空環(huán)境或特定氣體氛圍中產(chǎn)生等離子體.通過高能離子撞擊材料表面，去除表面的污染物、雜質(zhì)，使表面粗糙化，增加表面積。從而改變材料表面的化學性質(zhì)，提高其親水性、粘結(jié)性、耐磨性等性能。
更新時間:2025-12-27
疏水處理蒸鍍機 程控偶聯(lián)劑真空鍍膜機
疏水處理蒸鍍機 程控偶聯(lián)劑真空鍍膜機通過對處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層偶聯(lián)劑（hmds），改變了襯底的接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
更新時間:2025-12-27
維意真空等離子增強化學氣象沉積鍍膜設(shè)備支持定制
pe-cvd結(jié)構(gòu)特點介紹：pecvd系列真空管式高溫燒結(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體；2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進口高溫合金電阻絲為加熱元件；3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性；支持定制15611171559.
更新時間:2025-12-26
等離子增強化學氣相沉積PECVD
提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案，led工業(yè)要求高產(chǎn)量，高器件質(zhì)量和低購置成本。 plasmapro 1000更好地解決了這些需求。
更新時間:2025-12-23
等離子增強化學氣相沉積PECVD
plasmapro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究、原型設(shè)計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-12-23
等離子增強化學氣相沉積PECVD
plasmapro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （pecvd） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統(tǒng)?？蓪崿F(xiàn)大型晶圓大規(guī)模的批量生產(chǎn)和 300mm 晶圓處理。具有460mm直徑的工作臺，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產(chǎn)解決方案。plasmapro 800是的市場列產(chǎn)品。
更新時間:2025-12-23
等離子增強化學氣相沉積PECVD
設(shè)計pecvd工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于電溫度均勻性和電
更新時間:2025-12-23
電感耦合等離子體化學氣相沉積ICPCVD
該icpcvd工藝模塊設(shè)計用于在低生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現(xiàn)，從而實現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時減少基板損傷。
更新時間:2025-12-23
ICP沉積系統(tǒng)
sentech sipar icp沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)的各種沉積模式和工藝開發(fā)和設(shè)計的。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態(tài)溫控基板電和一個受控的真空系統(tǒng)。該系統(tǒng)將等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 和原子層沉積 （ald） 結(jié)合在一個反應(yīng)器中。
更新時間:2025-12-23
開蓋等離子體沉積系統(tǒng)PECVD
sentech depolab 200 是基本的等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 系統(tǒng)，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電設(shè)計的優(yōu)點和靈活的直接加載設(shè)計。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標準應(yīng)用開始。
更新時間:2025-12-23
8英寸電感耦合等離子體化學氣相沉積設(shè)備
shale® c系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設(shè)備（icp-cvd），通過電感耦合（icp）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（ccp）產(chǎn)生偏壓，可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標準零部件，符合semi的設(shè)計標準，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-12-23
8英寸等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備
shale® a系列等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備（pecvd），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標準零部件，符合semi的設(shè)計標準，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-12-23
等離子體沉積ALD
ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
更新時間:2025-12-23
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-12-23
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。pd-100st具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功能?？稍谥睆?20毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
pd-3800l 化學氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積設(shè)備
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能?？稍谥睆?20毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。
更新時間:2025-12-23
汽車車燈濺射鍍膜系統(tǒng)
本裝置是為了在汽車用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實施sio2 top coating的設(shè)備,是縮短生產(chǎn)時間,工序和佳的matching設(shè)備.
更新時間:2025-12-23
部件鍍膜設(shè)備
實現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎(chǔ)in-line sputter
更新時間:2025-12-23
臥式 LPCVD 氣相沉積系統(tǒng)
horic l200 系列 臥式 lpcvd 系統(tǒng)，半導體客戶端機臺裝機量大。
更新時間:2025-12-23
等離子 化學氣相沉積系統(tǒng)
epee系列 等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，單片和多片式架構(gòu)，滿足量產(chǎn)和研發(fā)客戶需求。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是大規(guī)模生產(chǎn)用薄膜沉積的理想選擇，具有優(yōu)異的重復性。
更新時間:2025-12-23
無針孔薄膜沉積設(shè)備
al-1通過交替向反應(yīng)室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜?？赏瑫r沉積3片ø4英寸的晶片。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功能?？稍谥睆?20毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
pd-3800l是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲。
更新時間:2025-12-23
化學氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)
pd-220n是用于沉積各種硅薄膜（sio2、si3n4等）的等離子體cvd系統(tǒng)。 pd-220n在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從尖端研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應(yīng)用范圍很廣。
更新時間:2025-12-23
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統(tǒng)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-12-23
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個ø4英寸的晶圓。
更新時間:2025-12-23
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-330stc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時間:2025-12-23

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